RSA/RSP

RSA/RSP是一種選擇性電鍍技術，使用乾膜作為光刻掩模的材料。 先把乾膜壓貼在引線框架的表面，作為電鍍保護層; 繼而使用紫外光刻技術將預先制定的圖案寫入乾膜裡，使得在顯影過程中選擇性地去除部分乾膜，從而暴露出需要在上面進行金屬電鍍的區域。 貴金屬可以是單層的銀（即 RSA），也可以是 3 層分別為鎳/鈀/金（即 RSP）。

與傳統的機械掩模電鍍相比，RSA/RSP具有低至15μm的電鍍定位精度; 避免引線框架側壁上不需要的金屬漏鍍; 並且在電鍍區域設計中具有非常高的自由度，例如單環電鍍、多環電鍍、甚至用於倒裝芯片封裝上直徑只有O100μm的矩陣點鍍等。

混合電鍍方案

QFN封裝以其體積小、成本低、熱電性能優異等特點，在電子行業得到廣泛應用。 然而，流行的QFN引線框架電鍍選項，包括選擇性銀鍍、全覆蓋鎳/鈀/金（PPF）鍍層，甚至裸銅表面，在符合或滿足從封裝到SMT工藝的各種要求存在一定的局限性：晶元粘接膠潤濕性、引線鍵合相容性、倒裝晶元焊料凸塊潤濕控制、裸露 DAP 和端子的可焊性、 貴金屬使用問題成本等。

為了克服這些挑戰，AAMI能夠為QFN引線框架提供混合光刻掩模電鍍方案：Ag選擇性地電鍍在引線框架的上面，作為跟晶元的焊盤; 而PPF選擇性地電鍍在底部，作為SMT端子的表層。 Ag 具有多種優點，包括與常規的鍵合線（Au、Ag、PCC 等）具有良好的相容性，減少焊頭的磨損以延長其使用壽命; PPF容許直接跟PCB焊接，封裝後無需額外的焊錫電鍍; 另一方面，光刻掩模工藝提供了電鍍設計的高靈活性，對倒裝晶元半導體尤為重要，此外更多的裸銅區能提高封裝的可靠性。

機械式選擇性銀電鍍

機械式選擇性銀電鍍是一種利用機械掩模來覆蓋非電鍍區域的工藝。 由於機械掩模可以在一段時間內重複使用，與光刻掩模電鍍相比，它具有較高的成本效益，但是電鍍位置精度方面則稍遜於光刻掩模。 此外，由於機械式電鍍工藝是在蝕刻或衝壓工藝後進行，因此引線框架的側壁會出現漏鍍的情況。 機械掩模跟光刻掩模之間的選擇取決於半導體封裝的品質和成本要求。 不管怎樣，AAMI擁有豐富的經驗，可以根據需要為客戶提供電鍍技術的專業建議。

多芯片組件封裝的引線框架抗氧化解決方案(SSAT)

多芯片組件的概念是將不同種類的半導體芯片放到單個封裝體中，這些芯片可能是由不同的公司、不同的技術或者材料製造而成。這樣有利於成本控制和縮減體積，新產品的推出亦能更靈活、更加緊跟市場。它的應用不僅僅局限於先進封裝，同時也適用於有多個硅座的 QFN 封裝類型。 多個芯片貼裝過程（高溫加工）會導致引線框架銅材表面嚴重氧化。不受控制的氧化銅層是引起封裝體分層的關鍵因素，進而導致可靠性受損。常規的或者廣泛應用的抗氧化化學藥劑專為單次芯片貼裝的加熱過程設計，因此無法有效抵抗多次加熱。在市場的驅動下，我們開發了一種超強抗氧化處理工藝，能極大地增強框架抗氧化能力，並且抗氧化藥水能按不同的熱加載要求，進行專門配製。